আমাদের সেবা

সিলিকন কার্বাইড

সিলিকন কার্বাইড, যাকে কার্বোরান্ডামও বলা হয়, এটি সিলিকন এবং কার্বন থেকে তৈরি একটি যৌগ। এই রাসায়নিক যৌগটি ময়সানাইট নামক খনিজটিতে পাওয়া যায়। সিলিকন কার্বাইডের প্রাকৃতিকভাবে উৎপন্ন রূপটি ডক্টর ফার্ডিনান্ড হেনরি মোইসান নামে একজন ফরাসি ফার্মাসিস্টের নামে নামকরণ করা হয়েছে। মোইসানাইট সাধারণত উল্কাপিণ্ড, কিম্বারলাইট এবং কোরান্ডামে খুব কম পরিমাণে পাওয়া যায়। তাই, বেশিরভাগ বাণিজ্যিক সিলিকন কার্বাইড সিন্থেটিক। যদিও পৃথিবীতে প্রাকৃতিকভাবে সিলিকন কার্বাইড পাওয়া কঠিন, তবে মহাকাশে এটি প্রচুর পরিমাণে রয়েছে। সিলিকন কার্বাইড আজ বিশ্বের সবচেয়ে দরকারী রাসায়নিক যৌগগুলির মধ্যে একটি। এর প্রয়োগ অনেক সংখ্যক শিল্প জুড়ে কাটে।

অনুসন্ধান পাঠান

আমাদের কারখানা

NY টু গ্লোবাল দশ বছর আগে থেকে অবাধ্য এবং ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম শিল্পে শক্তিশালী উপস্থিতি আছে। উত্স এবং অপ্টিমাইজ করা বিশেষজ্ঞ দলকে একত্রিত করে, আমরা আমাদের ব্যবসাকে অ্যালয়, বিগ ব্যাগ এবং খুচরা শিল্পে প্রসারিত করছি৷ আমাদের দুটি 100% মালিকানাধীন BFA প্ল্যান্ট এবং একটি বড় ব্যাগ প্ল্যান্ট রয়েছে৷ কিছু অন্যান্য অবাধ্য উদ্ভিদ বিনিয়োগ করে, আমরা একটি ভাল দামের জন্য আমাদের উৎপাদন এবং মান নিয়ন্ত্রণের অবস্থান উন্নত করি৷ অবাধ্য এবং ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম কাঁচামাল: সিলিকন কার্বাইড, হোয়াইট ফিউজড অ্যালুমিনা, হোয়াইট ট্যাবুলার অ্যালুমিনা, ব্ল্যাক সিলিকন কার্বাইড, ফিউজড মুলাইট, বক্সাইট, ফিউজড ম্যাগনেসিয়া, ডেড বার্নড ম্যাগনেসিয়া, ক্যালসাইন্ড অ্যালুমিনা ইত্যাদি। মিশ্র ধাতু: উচ্চ-মাঝারি-নিম্ন কার্বন ফেরো ম্যাঙ্গানিজ, উচ্চ কার্বন ফেরো ক্রোম, নিম্ন কার্বন ফেরো ক্রোম, সিলিকো ম্যাঙ্গানিজ, ফেরো সিলিকন, সিলিকন মেটাল, ম্যাঙ্গানিজ মেটাল, কোরড ওয়্যারস, ইনকুল্যান্টস, ইত্যাদি।

কেন আমাদের চয়ন করুন

কারখানার শক্তি
NY টু গ্লোবাল দশ বছর আগে থেকে অবাধ্য এবং ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম শিল্পে শক্তিশালী উপস্থিতি আছে। উত্স এবং অপ্টিমাইজ করা বিশেষজ্ঞ দলকে একত্রিত করে, আমরা আমাদের ব্যবসাকে অ্যালয়, বিগ ব্যাগ এবং খুচরা শিল্পে প্রসারিত করছি।

মান নিয়ন্ত্রণ
আমাদের নিজস্ব পরীক্ষাগার দ্বারা উত্পাদনের প্রতিটি পর্যায়ের জন্য রিয়েল-টাইম ডেটা পরীক্ষা এবং পরিদর্শন।

আমাদের সার্টিফিকেট
আমাদের সমস্ত উদ্ভিদ ISO 9001:2015, ISO 14001:2015 এবং OHSAS 18001:2007 পূরণ করে।

উৎপাদন বাজার
চীন, ভারত, তুরস্ক, ইউরোপ এবং মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রে শক্তিশালী উপস্থিতি দ্বারা, প্রতিটি শিল্পের প্রধান খেলোয়াড়ের সাথে আমাদের শক্ত সংযোগ রয়েছে।

সিলিকন কার্বাইডের উপকারিতা

চমৎকার উচ্চ তাপমাত্রা কর্মক্ষমতা
সিলিকন কার্বাইড পণ্যগুলির গলনাঙ্ক 2700 ডিগ্রির মতো উচ্চ, যা উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে এর কাঠামোগত স্থিতিশীলতা এবং শক্তি বজায় রাখতে পারে, তাই এটি উচ্চ-তাপমাত্রা গলিত ধাতু, উচ্চ-তাপমাত্রা গরম করার চুল্লি, উচ্চ-তাপমাত্রা পেট্রোকেমিক্যালগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এবং অন্যান্য ক্ষেত্র।

শক্তিশালী জারা প্রতিরোধের
সিলিকন কার্বাইডের চমৎকার জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে এবং এটি অ্যাসিড, ক্ষার এবং অক্সিডেটিভ পরিবেশে দীর্ঘ সময়ের জন্য স্থিরভাবে কাজ করতে পারে।

উচ্চ কঠোরতা এবং উচ্চ শক্তি
সিলিকন কার্বাইডের ঐতিহ্যগত সিরামিক উপকরণের তুলনায় উচ্চ কঠোরতা এবং শক্তি রয়েছে, তাই এটির ভাল পরিধান প্রতিরোধের এবং প্রভাব প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে।

চমৎকার তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা
সিলিকন কার্বাইডের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা রয়েছে, তাই এটি উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক উপাদান এবং রেডিয়েটার তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

SiC এর বৈশিষ্ট্য

SiC এর পলিটাইপিজম
SiC তার পলিটাইপিজম (ভিন্ন স্ফটিক কাঠামো) জন্য পরিচিত, যা প্রধান অক্ষ (C-অক্ষ) বরাবর Si এবং C এর স্ট্যাকিং দ্বারা উত্পন্ন হয়। AaBbCcAaBbCc স্ট্যাকিং একটি 3C-SiC জিঙ্ক-ব্লেন্ড জালি তৈরি করে, AaBbAaBb একটি wurtzite জালি দিয়ে 2H-SiC তৈরি করে, এবং AaBbAaCcAaBbAaC একটি 4H-SiC laটিস তৈরি করে৷ প্রতি ইউনিট কোষে বিভিন্ন সংখ্যক পরমাণু সহ বিভিন্ন স্ফটিক ফর্ম বিভিন্ন বৈদ্যুতিন শক্তি ব্যান্ড এবং কম্পনশীল শাখাগুলির কারণে পলিটাইপের শারীরিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে।

ব্যান্ড স্ট্রাকচার
SiC-এর বিভিন্ন স্ফটিক আকারের বিভিন্ন ব্যান্ডগ্যাপ আকার রয়েছে, 2.4 eV (3C-SiC) থেকে 3.35 eV (2H-SiC) পর্যন্ত, যা তাদের ইলেকট্রনিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য নির্ধারণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। SiC পলিটাইপগুলি হল পরোক্ষ সেমিকন্ডাক্টর, যার মানে হল যে পলিটাইপের ক্ষুদ্রতম ব্যান্ডগ্যাপ (3C-SiC ) থেকে বৃহত্তম ব্যান্ডগ্যাপ (2H-SiC) এর জন্য ফোননগুলির অংশগ্রহণের প্রয়োজন (কোয়ান্টাইজড ভাইব্রেশনাল মোড)। যদিও SiC পলিটাইপগুলি পরোক্ষ সেমিকন্ডাক্টর, তারা পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য চমৎকার প্রার্থী।

ডোপিং
ডোপিং হল একটি শারীরিক পদ্ধতি যা SiC-এর পছন্দসই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলি পেতে ব্যবহৃত হয়। এই প্রক্রিয়ায়, একটি উপাদান, হয় একটি গ্রহণকারী (অ্যালুমিনিয়াম/বোরন/গ্যালিয়াম) বা একটি দাতা (নাইট্রোজেন/ফসফরাস), তার পরিবাহিতা পরিবর্তন করার জন্য স্ফটিক বৃদ্ধি পর্যায়ে প্রবর্তিত হয়। যেহেতু ডিফিউশন এসআইসি ডোপ করার একটি সম্ভাব্য পদ্ধতি নয়, তাই উচ্চ-তাপমাত্রা গরম করার মাধ্যমে ডোপ্যান্ট অ্যাক্টিভেশন সহ আয়ন ইমপ্লান্টেশন এসআইসি ডোপ করতে ব্যবহৃত হয়। পূর্ববর্তী অধ্যয়নগুলি উল্লম্ব শক্তি ডিভাইস কাঠামো এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে পাওয়ার ক্ষতি হ্রাস করার মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য নাইট্রোজেনের সাথে এসআইসি ডোপিংয়ের সাফল্যের কথা জানিয়েছে।

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন নাইট্রোজেন দাতাদের সাথে অনিচ্ছাকৃত ডোপিং ইঙ্গিত করে যে বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন তাদের অতিরিক্ত ইলেকট্রন রয়েছে, যা SiC-তে এন-টাইপ পরিবাহিতা প্রকাশ করে। ডোপড নাইট্রোজেন পরমাণুগুলি জালিযুক্ত স্থানে কার্বন পরমাণুকে প্রতিস্থাপন করে, বিভিন্ন স্থানীয় পরিবেশ এবং একটি নির্দিষ্ট হস্তক্ষেপের প্রভাবের কারণে আয়নকরণ শক্তির পরিবর্তন হয়। উপরন্তু, হল পরিমাপ নাইট্রোজেন দাতাদের ঘনত্ব নির্ধারণ করতে সাহায্য করে, বিভিন্ন জালি সাইটের মধ্যে সমান বন্টন অনুমান করে।

রাসায়নিক স্থিতিশীলতা
SiC সহজে অক্সিডেশনের মধ্য দিয়ে যায় এবং একটি সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO2) ফিল্ম তৈরি করে, যা ধীরে ধীরে জারণ প্রক্রিয়াকে বাধাগ্রস্ত করে। যাইহোক, যদি সিলিকন ডাই অক্সাইড ফিল্মকে অপসারণ বা ভাঙতে পারে এমন পদার্থ একই সাথে বিদ্যমান থাকে তবে SiC আরও অক্সিডাইজ করা যেতে পারে। SiC সহজে অ্যাসিড বা ঘাঁটিতে দ্রবীভূত হয় না কিন্তু ক্ষারীয় গলে সহজেই আক্রান্ত হতে পারে। SiC-তে পাওয়া প্রাথমিক অমেধ্যগুলির মধ্যে C এবং SiO2 রয়েছে এবং অমেধ্যের পরিমাণ পণ্যের প্রকারের উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়।

সিলিকন কার্বাইডের প্রয়োগ

01/

সামরিক বুলেটপ্রুফ আর্মারে ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড
বুলেটপ্রুফ বর্ম তৈরিতে সিলিকন কার্বাইড ব্যবহার করা হয়। এই যৌগটির বৈশিষ্ট্য যা এটিকে এই ধরনের উদ্দেশ্যে প্রয়োগ করা হয় তা হল এর কঠোরতা। বুলেট এবং অন্যান্য ক্ষতিকারক বস্তুকে শক্ত সিরামিক ব্লকের সাথে লড়াই করতে হবে যা সিলিকন কার্বাইড গঠন করে। বুলেট সিরামিক ব্লক ভেদ করতে পারে না।

02/

সিলিকন কার্বাইড সেমিকন্ডাক্টরে ব্যবহৃত হয়
সিলিকন কার্বাইড একটি অর্ধপরিবাহী হয়ে ওঠে যখন এটিতে ডোপ্যান্ট যোগ করা হয়। সিলিকন কার্বাইডে যোগ করা বোরন এবং অ্যালুমিনিয়ামের মতো ডোপ্যান্ট এটিকে পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর করে তোলে। অন্যদিকে, সিলিকন কার্বাইডে যোগ করা নাইট্রোজেন এবং ফসফরাসের মতো ডোপেন্ট এটিকে এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর করে তোলে। পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এবং এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের মধ্যে পার্থক্য সম্পর্কে আরও তথ্যের জন্য আপনি এই পোস্টটি পড়তে পারেন।

03/

ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম সিলিকন কার্বাইড ব্যবহৃত
সিলিকন কার্বাইড সাধারণত একটি ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম হিসাবে ব্যবহৃত হয় কারণ এটি কতটা শক্ত। এটি নাকাল চাকা, কাটার সরঞ্জাম এবং স্যান্ডপেপার তৈরিতে ব্যবহৃত হয়। সিলিকন কার্বাইড ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম অন্যান্য ক্ষয়কারীর তুলনায় সাধারণত সস্তা। ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম উপাদান যেমন ইস্পাত, অ্যালুমিনিয়াম, ঢালাই লোহা, এবং রাবার পিষে ব্যবহার করা হয়।

04/

বৈদ্যুতিক যানবাহনে ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড
বৈদ্যুতিক যানবাহন পাওয়ার জন্য সিলিকনের চেয়ে সিলিকন কার্বাইড একটি ভাল পছন্দ। সিলিকন কার্বাইড দ্বারা চালিত বৈদ্যুতিক গাড়িগুলি অত্যন্ত দক্ষ এবং সাশ্রয়ী। বর্তমানে, অনেক সুপরিচিত কোম্পানি টেসলার মতো বৈদ্যুতিক যানবাহন তৈরি করার সময় দক্ষতা এবং পরিসর উন্নত করতে সিলিকন কার্বাইড ব্যবহার করেছে।

05/

গহনায় ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড
কাঠামোগতভাবে হীরার মতো, তবুও আরও উজ্জ্বল, সস্তা, আরও টেকসই এবং হীরার চেয়ে হালকা, সিলিকন কার্বাইড হল গয়না শিল্পে হীরার একটি উপযুক্ত বিকল্প।

06/

সিলিকন কার্বাইড জ্বালানীতে ব্যবহৃত হয়
এর অন্যান্য ব্যবহারের পাশাপাশি, সিলিকন কার্বাইড জ্বালানী হিসাবে ব্যবহৃত হয়। এটি ইস্পাত উত্পাদনে জ্বালানী হিসাবে ব্যবহৃত হয় এবং অন্যান্য জ্বালানির তুলনায় বিশুদ্ধ ইস্পাত উত্পাদন করে। এটি একটি সস্তা এবং আরও পরিবেশ বান্ধব জ্বালানী।

সিলিকন কার্বাইড কীভাবে চয়ন করবেন

আপনার অবাধ্য চাহিদা সনাক্তকরণ
একটি উপযুক্ত অবাধ্য উপাদান নির্বাচনের প্রথম ধাপ হল অ্যাপ্লিকেশনের নির্দিষ্ট চাহিদাগুলি চিহ্নিত করা। অবাধ্যকে সহ্য করার জন্য তাপমাত্রার পরিসর, রাসায়নিক পরিবেশ এবং নির্দিষ্ট প্রয়োগ বিবেচনা করুন। এটি পছন্দগুলিকে সংকীর্ণ করতে এবং উপযুক্ত অবাধ্য উপাদান নির্বাচন করা হয়েছে তা নিশ্চিত করতে সহায়তা করবে।

অবাধ্য উপকরণ গবেষণা
একবার আপনার প্রয়োজনীয়তাগুলি চিহ্নিত হয়ে গেলে, উপলব্ধ বিভিন্ন ধরণের অবাধ্য উপকরণগুলি নিয়ে গবেষণা করা অপরিহার্য। তাপীয় শক প্রতিরোধের, রাসায়নিক প্রতিরোধের এবং অন্যান্য গুরুত্বপূর্ণ কারণগুলি বিবেচনা করুন।

আপনার বাজেট বিবেচনা করুন
একটি অবাধ্য উপাদান নির্বাচন করার সময়, বাজেট বিবেচনা করা গুরুত্বপূর্ণ। বিভিন্ন অবাধ্য উপকরণের বিভিন্ন দাম থাকে এবং বাজেটের মধ্যে ফিট করে এমন একটি উপাদান নির্বাচন করা গুরুত্বপূর্ণ। উপরন্তু, ইনস্টলেশন, রক্ষণাবেক্ষণ এবং মেরামতের খরচ সহ মোট মালিকানার খরচ বিবেচনা করা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

সিলিকন কার্বাইড যোগ্যতা অনুযায়ী
গ্রাহকদের আস্থা অর্জনের জন্য, সিলিকন কার্বাইড প্রস্তুতকারক সাধারণত সিলিকন কার্বাইডের গুণমান শংসাপত্র বহন করে। তাই যখন আমরা সিলিকন কার্বাইড ক্রয় করি, তখন আমরা সিলিকন কার্বাইড প্রস্তুতকারকের যোগ্যতা যাচাই করতে পারি। সার্টিফিকেশন অথরিটি যত বেশি প্রামাণিক, সিলিকন কার্বাইড তত ভালো।

কিভাবে সিলিকন কার্বাইড তৈরি হয়?

লেলি পদ্ধতি

এই প্রক্রিয়া চলাকালীন, একটি গ্রানাইট ক্রুসিবল খুব উচ্চ তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হয়, সাধারণত আনয়নের মাধ্যমে, সিলিকন কার্বাইড পাউডারকে পরমানন্দ করে। নিম্ন তাপমাত্রার একটি গ্রাফাইট রড গ্যাসীয় মিশ্রণে স্থগিত থাকে, যা অন্তর্নিহিতভাবে বিশুদ্ধ সিলিকন কার্বাইড জমা করতে এবং স্ফটিক গঠন করতে দেয়।

রাসায়নিক বাষ্প জমা

বিকল্পভাবে, নির্মাতারা রাসায়নিক বাষ্প জমা ব্যবহার করে ঘন SiC বৃদ্ধি করে, যা সাধারণত কার্বন-ভিত্তিক সংশ্লেষণ প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত হয় এবং অর্ধপরিবাহী শিল্পে ব্যবহৃত হয়। এই পদ্ধতিতে, গ্যাসের একটি বিশেষ রাসায়নিক মিশ্রণ একটি ভ্যাকুয়াম পরিবেশে প্রবেশ করে এবং একটি সাবস্ট্রেটে জমা করার আগে একত্রিত হয়।

সিলিকন কার্বাইড স্টোরেজ সতর্কতা

সুশৃঙ্খল স্টোরেজ, উপকরণ গ্রহণের প্রক্রিয়াতে ভুল এড়াতে সারিগুলিতে যতদূর সম্ভব একই ব্যাচ নম্বর।

সিলিকন কার্বাইড মাইক্রো পাউডার একটি শক্তিশালী আর্দ্রতা শোষণ আছে, আর্দ্রতা-প্রমাণ ফিল্ম স্টোরেজ অপসারণ এড়াতে চেষ্টা করুন; এটি আর্দ্রতা জমাট এড়াতে পারে, শুকানোর সময় ছোট করতে পারে।

অত্যধিক স্টোরেজ সময়ের কারণে কাঁচামাল জমাট বাঁধা এড়াতে যতদূর সম্ভব প্রথম-ইন-ফার্স্ট-আউট উপাদানের নীতি ব্যবহার করুন।

যদি অতি সূক্ষ্ম সিলিকন কার্বাইড পাউডার ট্রানজিট ভাঙা প্যাকেজিং, ধুলো দূষণ এড়াতে আলাদাভাবে সংরক্ষণ করার চেষ্টা করুন.

এটা বাঞ্ছনীয় যে গুদাম যতদূর সম্ভব বন্ধ, আলাদাভাবে সংরক্ষণ করা, এবং আর্দ্রতা, বাতাস এবং বৃষ্টি মনোযোগ দিতে.

আমাদের কারখানা

এফএকিউ

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কিসের জন্য ব্যবহৃত হয়?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড উপাদানগুলি আজ কাচ এবং অ লৌহঘটিত ধাতু গলে, ধাতুর তাপ চিকিত্সা, ফ্লোট গ্লাস উত্পাদন, সিরামিক এবং ইলেকট্রনিক্স উপাদানগুলির উত্পাদন, গ্যাস হিটারের জন্য পাইলট লাইটে ইগনিটার ইত্যাদিতে ব্যবহৃত হয়। নিম্নলিখিত তীব্র (সংক্ষিপ্ত) -মেয়াদী) সিলিকন কার্বাইডের সংস্পর্শে আসার সাথে সাথে বা খুব শীঘ্রই স্বাস্থ্যের প্রভাব দেখা দিতে পারে: * সিলিকন কার্বাইডের সংস্পর্শে চোখ এবং নাক জ্বালা করতে পারে। * সিলিকন কার্বাইড প্রাণীদের ক্যান্সার সৃষ্টি করে এমন সীমিত প্রমাণ রয়েছে। এতে ফুসফুসের ক্যান্সার হতে পারে।

প্রশ্ন: ইলেকট্রনিক ডিভাইসে SiC-এর প্রয়োগ কোনটি?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড হল একটি সেমিকন্ডাক্টর যা পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য পুরোপুরি উপযুক্ত, সর্বোপরি ধন্যবাদ উচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করার ক্ষমতার জন্য, সিলিকনের সাথে ব্যবহারযোগ্য ভোল্টেজের তুলনায় দশগুণ বেশি। সিলিকন কার্বাইডের উপর ভিত্তি করে অর্ধপরিবাহী উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা, উচ্চতর ইলেক্ট্রন গতিশীলতা এবং কম পাওয়ার লস প্রদান করে। SiC ডায়োড এবং ট্রানজিস্টরগুলি নির্ভরযোগ্যতার সাথে আপস না করে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং তাপমাত্রায়ও কাজ করতে পারে। SiC ডিভাইসের প্রধান অ্যাপ্লিকেশন, যেমন Schottky ডায়োড এবং FET/MOSFET ট্রানজিস্টর, কনভার্টার, ইনভার্টার, পাওয়ার সাপ্লাই, ব্যাটারি চার্জার এবং মোটর কন্ট্রোল সিস্টেম অন্তর্ভুক্ত করে।

প্রশ্ন: কেন SiC পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনে Si কে পরাস্ত করে?

উত্তর: ইলেকট্রনিক্সে সর্বাধিক ব্যবহৃত সেমিকন্ডাক্টর হওয়া সত্ত্বেও, সিলিকন কিছু সীমাবদ্ধতা দেখাতে শুরু করেছে, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে। এই অ্যাপ্লিকেশনগুলির একটি প্রাসঙ্গিক ফ্যাক্টর হল ব্যান্ডগ্যাপ, বা শক্তি ফাঁক, অর্ধপরিবাহী দ্বারা অফার করা হয়। ব্যান্ডগ্যাপ বেশি হলে, এটি যে ইলেকট্রনিক্স ব্যবহার করে তা ছোট হতে পারে, দ্রুত চলতে পারে এবং আরও নির্ভরযোগ্যভাবে হতে পারে। এটি অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় উচ্চ তাপমাত্রা, ভোল্টেজ এবং ফ্রিকোয়েন্সিতেও কাজ করতে পারে। যেখানে সিলিকনের ব্যান্ডগ্যাপ প্রায় 1.12eV, সিলিকন কার্বাইডের প্রায় তিনগুণ বেশি মান প্রায় 3.26eV।

প্রশ্নঃ কেন SiC এত উচ্চ ভোল্টেজ পরিচালনা করতে পারে?

উত্তর: পাওয়ার ডিভাইস, বিশেষ করে MOSFET, অবশ্যই অত্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজ পরিচালনা করতে সক্ষম হবে। সিলিকনের তুলনায় প্রায় দশ গুণ বেশি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের একটি ডাইলেকট্রিক ব্রেকডাউন তীব্রতার জন্য ধন্যবাদ, SiC 600V থেকে কয়েক হাজার ভোল্ট পর্যন্ত একটি খুব উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজে পৌঁছাতে পারে। SiC সিলিকনের তুলনায় উচ্চ ডোপিং ঘনত্ব ব্যবহার করতে পারে এবং ড্রিফট স্তরগুলিকে খুব পাতলা করা যেতে পারে। ড্রিফট স্তর যত পাতলা হবে, এর প্রতিরোধ ক্ষমতা তত কম হবে। তাত্ত্বিকভাবে, একটি উচ্চ ভোল্টেজ দেওয়া হলে, প্রতি ইউনিট এলাকায় ড্রিফ্ট স্তরের প্রতিরোধ সিলিকনের 1/300-এ হ্রাস করা যেতে পারে।

প্রশ্ন: কেন SiC উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে IGBT-কে ছাড়িয়ে যেতে পারে?

উত্তর: উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে, আইজিবিটি এবং বাইপোলার ট্রানজিস্টরগুলি বেশিরভাগ অতীতে ব্যবহৃত হয়েছে, যার লক্ষ্য উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজগুলিতে ঘটতে থাকা টার্ন-অন প্রতিরোধকে হ্রাস করা। যাইহোক, এই ডিভাইসগুলি উল্লেখযোগ্য স্যুইচিং ক্ষতি অফার করে, যার ফলে তাপ উৎপাদনের সমস্যা হয় যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে তাদের ব্যবহার সীমিত করে। SiC ব্যবহার করে, স্কটকি ব্যারিয়ার ডায়োড এবং MOSFET-এর মতো ডিভাইস তৈরি করা সম্ভব, যা উচ্চ ভোল্টেজ, কম টার্ন-অন প্রতিরোধ এবং দ্রুত অপারেশন অর্জন করে।

প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইড উপাদান ডোপ করতে কোন অমেধ্য ব্যবহার করা হয়?

উত্তর: এর বিশুদ্ধ আকারে, সিলিকন কার্বাইড একটি বৈদ্যুতিক অন্তরকের মতো আচরণ করে। অমেধ্য বা ডোপ্যান্টের নিয়ন্ত্রিত সংযোজনের সাথে, SiC একটি সেমিকন্ডাক্টরের মতো আচরণ করতে পারে। একটি পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরকে অ্যালুমিনিয়াম, বোরন বা গ্যালিয়াম দিয়ে ডোপ করে প্রাপ্ত করা যেতে পারে, যখন নাইট্রোজেন এবং ফসফরাসের অমেধ্য এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের জন্ম দেয়। ইনফ্রারেড বিকিরণের ভোল্টেজ বা তীব্রতা, দৃশ্যমান আলো এবং অতিবেগুনি রশ্মির মতো কারণের উপর ভিত্তি করে সিলিকন কার্বাইডের কিছু অবস্থার অধীনে বিদ্যুৎ সঞ্চালন করার ক্ষমতা রয়েছে কিন্তু অন্যগুলিতে নয়। অন্যান্য উপকরণের বিপরীতে, সিলিকন কার্বাইড বিস্তৃত পরিসরে ডিভাইস তৈরির জন্য প্রয়োজনীয় পি-টাইপ এবং এন-টাইপ অঞ্চলগুলিকে নিয়ন্ত্রণ করতে সক্ষম। এই কারণে, SiC একটি উপাদান যা পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য উপযুক্ত এবং সিলিকন দ্বারা দেওয়া সীমাবদ্ধতাগুলি অতিক্রম করতে সক্ষম।

প্রশ্নঃ কিভাবে SiC সেমিকন্ডাক্টর সিলিকনের চেয়ে ভালো তাপ ব্যবস্থাপনা অর্জন করতে পারে?

উত্তর: আরেকটি গুরুত্বপূর্ণ পরামিতি হল তাপ পরিবাহিতা, যা অর্ধপরিবাহী কিভাবে তাপ উৎপন্ন করে তা নষ্ট করতে সক্ষম তার একটি সূচক। যদি একটি সেমিকন্ডাক্টর কার্যকরভাবে তাপ অপসারণ করতে সক্ষম না হয়, তাহলে ডিভাইসটি সহ্য করতে পারে এমন সর্বাধিক অপারেটিং ভোল্টেজ এবং তাপমাত্রায় একটি সীমাবদ্ধতা প্রবর্তন করা হয়। এটি আরেকটি ক্ষেত্র যেখানে সিলিকন কার্বাইড সিলিকনকে ছাড়িয়ে যায়: সিলিকন কার্বাইডের তাপ পরিবাহিতা হল 1490 W/mK, সিলিকন দ্বারা প্রদত্ত 150 W/mK এর তুলনায়।

প্রশ্ন: Si-MOSFET-এর তুলনায় SiC রিভার্স রিকভার টাইম কেমন?

উত্তর: SiC MOSFETs, তাদের সিলিকন সমকক্ষের মতো, একটি অভ্যন্তরীণ বডি ডায়োড থাকে। বডি ডায়োড দ্বারা প্রস্তাবিত প্রধান সীমাবদ্ধতাগুলির মধ্যে একটি হল অবাঞ্ছিত বিপরীত পুনরুদ্ধার আচরণ, যা ঘটে যখন ডায়োডটি একটি ইতিবাচক ফরোয়ার্ড কারেন্ট বহন করার সময় বন্ধ হয়ে যায়। বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr) এইভাবে একটি MOSFET এর বৈশিষ্ট্যগুলিকে সংজ্ঞায়িত করার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ সূচক হয়ে ওঠে। চিত্র 2 একটি 1000V Si-ভিত্তিক MOSFET এবং একটি SiC-ভিত্তিক MOSFET-এর trr-এর মধ্যে একটি তুলনা দেখায়। যেমন দেখা যায়, SiC MOSFET-এর বডি ডায়োড অত্যন্ত দ্রুত: trr এবং Irr-এর মানগুলি এতই ছোট যে নগণ্য হতে পারে, এবং শক্তির ক্ষতি Err যথেষ্ট পরিমাণে হ্রাস পেয়েছে।

প্রশ্ন: শর্ট সার্কিট সুরক্ষার জন্য নরম টার্নঅফ কেন গুরুত্বপূর্ণ?

উত্তর: একটি SiC MOSFET-এর জন্য আরেকটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার হল শর্ট সার্কিট সহ্য করার সময় (SCWT)। যেহেতু SiC MOSFETs চিপের একটি খুব ছোট এলাকা দখল করে এবং উচ্চ কারেন্ট ঘনত্ব রয়েছে, তাই তাদের শর্ট সার্কিট সহ্য করার ক্ষমতা যা তাপীয় বিরতি ঘটাতে পারে তা সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসের তুলনায় কম থাকে। ক্ষেত্রে, উদাহরণস্বরূপ, TO247 প্যাকেজ সহ একটি 1.2kV MOSFET-এর ক্ষেত্রে, Vdd=700V এবং Vgs=18V-এ শর্ট-সার্কিট সহ্য করার সময় প্রায় 8-10 μs। Vgs কমে গেলে, স্যাচুরেশন কারেন্ট কমে যায় এবং সহ্য করার সময় বাড়ে। Vdd কমে গেলে কম তাপ উৎপন্ন হয় এবং সহ্য করার সময় বেশি হয়। যেহেতু একটি SiC MOSFET বন্ধ করার জন্য প্রয়োজনীয় সময় অত্যন্ত কম, যখন টার্নঅফ রেট Vgs বেশি হয়, একটি উচ্চ dI/dt মারাত্মক ভোল্টেজ স্পাইক সৃষ্টি করতে পারে। তাই ওভারভোল্টেজ পিক এড়িয়ে গেট ভোল্টেজকে ধীরে ধীরে কমাতে একটি নরম টার্নঅফ ব্যবহার করা উচিত।

প্রশ্ন: কেন বিচ্ছিন্ন গেট ড্রাইভার একটি ভাল পছন্দ?

উত্তর: অনেক ইলেকট্রনিক ডিভাইস লো এবং হাই ভোল্টেজ সার্কিট, নিয়ন্ত্রণ এবং পাওয়ার ফাংশন সঞ্চালনের জন্য একে অপরের সাথে আন্তঃসংযুক্ত। একটি ট্র্যাকশন ইনভার্টার, উদাহরণস্বরূপ, সাধারণত একটি নিম্ন ভোল্টেজ প্রাথমিক দিক (শক্তি, যোগাযোগ এবং নিয়ন্ত্রণ সার্কিট) এবং একটি মাধ্যমিক দিক (উচ্চ ভোল্টেজ সার্কিট, মোটর, পাওয়ার স্টেজ এবং সহায়ক সার্কিট) অন্তর্ভুক্ত করে। প্রাথমিক দিকে অবস্থিত নিয়ামক সাধারণত উচ্চ ভোল্টেজের দিক থেকে প্রতিক্রিয়া সংকেত ব্যবহার করে এবং কোনো বিচ্ছিন্নতা বাধা উপস্থিত না থাকলে সম্ভাব্য ক্ষতির জন্য সংবেদনশীল। একটি বিচ্ছিন্নতা বাধা বৈদ্যুতিকভাবে সার্কিটগুলিকে প্রাথমিক থেকে মাধ্যমিক দিকে আলাদা করে আলাদা স্থল রেফারেন্স তৈরি করে, তথাকথিত গ্যালভানিক বিচ্ছিন্নতা বাস্তবায়ন করে। এটি অবাঞ্ছিত এসি বা ডিসি সংকেতগুলিকে একপাশ থেকে অন্য দিকে স্থানান্তরিত হতে বাধা দেয়, যার ফলে পাওয়ার উপাদানগুলির ক্ষতি হয়।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইডের মূল ব্যবহার কি কি?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড আধুনিক ল্যাপিডারিতে একটি খুব জনপ্রিয় ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম একটি স্থায়িত্ব এবং উপাদানের তুলনামূলকভাবে কম খরচের কারণে। তাই শিল্প শিল্পের জন্য এটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। উত্পাদন শিল্পে, এই যৌগটি বেশ কিছু ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম যন্ত্র প্রক্রিয়া যেমন honing, নাকাল, জল-জেট কাটিং, এবং স্যান্ডব্লাস্টিং এর কঠোরতার জন্য ব্যবহৃত হয়।

প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইডের কঠোরতা সম্পর্কে মন্তব্য করুন?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইডের একটি অত্যন্ত শক্ত সিরামিক পদার্থ তৈরি করার ক্ষমতা রয়েছে যা এটিকে স্বয়ংচালিত ব্রেক এবং ক্লাচ এবং বুলেটপ্রুফ ভেস্টে প্রয়োগের জন্য উপযোগী করে তোলে। 1400 ডিগ্রি পর্যন্ত এর শক্তি ধরে রাখার পাশাপাশি, এই সিরামিকটি সমস্ত উন্নত সিরামিকের মধ্যে সর্বোচ্চ জারা প্রতিরোধের প্রদর্শন করে।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কি পানিতে দ্রবণীয়?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড পানিতে অদ্রবণীয়। যাইহোক, এটি গলিত ক্ষার (যেমন NaOH এবং KOH) এবং গলিত লোহাতে দ্রবণীয়। সিলিকন কার্বাইড একটি অর্গানোসিলিকন যৌগ হিসাবে বিবেচনা করা যেতে পারে।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড এত দামী কেন?

উত্তর: একটি একক সিলিকন কার্বাইড (SiC) চিপের দাম নির্দিষ্ট প্রয়োগ, আকার, জটিলতা এবং উত্পাদন প্রক্রিয়া সহ বিভিন্ন কারণের উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে। সাধারণত, জড়িত উন্নত উপকরণ এবং উত্পাদন কৌশলগুলির কারণে SiC চিপগুলি প্রথাগত সিলিকন চিপগুলির চেয়ে বেশি ব্যয়বহুল হতে থাকে।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কিসের জন্য ভালো?

উত্তর: যেহেতু এর দানা সহজেই ভেঙ্গে যায় এবং একটি ধারালো কাটার ক্রিয়া বজায় রাখে, তাই সিলিকন-কারবাইড ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম সাধারণত শক্ত, কম প্রসার্য শক্তির উপাদান যেমন ঠাণ্ডা লোহা, মার্বেল এবং গ্রানাইট এবং ফাইবার, রাবারের মতো তীক্ষ্ণ কাটিং ক্রিয়া প্রয়োজন এমন উপকরণগুলিকে পিষতে ব্যবহৃত হয়। চামড়া বা তামা। ভঙ্গুর: সিলিকন কার্বাইড পণ্যগুলি ভঙ্গুর এবং বড় কণা এবং সহজ পরিধান সহ কিছু পরিবেশের জন্য উপযুক্ত নয়। 4. দরিদ্র মেশিনিবিলিটি: সিলিকন কার্বাইড পণ্যগুলির মেশিনযোগ্যতা দুর্বল, এবং প্রক্রিয়াকরণ কঠিন, তাই জটিল আকার সহ সিলিকন কার্বাইড পণ্য তৈরি করা কঠিন।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কি বুলেটপ্রুফ?

উত্তর: সিরামিক সামগ্রী, যেমন সিলিকন কার্বাইড (SiC), তাদের চিত্তাকর্ষক শক্তি এবং কঠোরতার কারণে রাইফেলের বুলেট বন্ধ করার জন্য আদর্শ বলে মনে করা হয়। SiC কে ব্যাকিং উপকরণের সাথে একত্রিত করা যেতে পারে এবং প্রতিরক্ষামূলক ভেস্টে ঢোকানো যেতে পারে যাতে উচ্চ-বেগের প্রজেক্টাইলের বিরুদ্ধে শরীরের অত্যাবশ্যক সুরক্ষা প্রদান করা যায়। সিলিকন কার্বাইড প্রকৃতিতে একটি অত্যন্ত বিরল খনিজ হিসাবে দেখা যায় যা ময়সানাইট নামে পরিচিত, যা 1893 সালে অ্যারিজোনার ক্যানিয়ন ডায়াবলো উল্কাতে প্রথম পাওয়া গিয়েছিল। গর্ত

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড কি পানিতে দ্রবীভূত হয়?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড পানিতে অদ্রবণীয়। যাইহোক, এটি গলিত ক্ষার (যেমন NaOH এবং KOH) এবং গলিত লোহাতেও দ্রবণীয়। জুলাই 2022-এ, MIT News ঘোষণা করেছে যে কিউবিক বোরন আর্সেনাইড সিলিকনের সম্ভাব্য বিকল্প হতে পারে। কিউবিক বোরন আর্সেনাইড তাপ ও বিদ্যুৎ সঞ্চালনে সিলিকনের চেয়ে ভালো কাজ করে।

প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইড কি হীরার চেয়ে শক্তিশালী?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড 9.5 এর Mohs কঠোরতার সাথে শক্ত, যা বিশ্বের সবচেয়ে শক্ত হীরার পরেই দ্বিতীয়। উপরন্তু, সিলিকন কার্বাইড চমৎকার তাপ পরিবাহিতা আছে. এটি এক ধরনের সেমিকন্ডাক্টর এবং উচ্চ তাপমাত্রায় অক্সিডেশন প্রতিরোধ করতে পারে। সিলিকন কার্বাইড (SiC), কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, রাসায়নিক সূত্র SiC সহ সিলিকন এবং কার্বনের একটি যৌগ।

প্রশ্নঃ সিলিকন কার্বাইড বা টাংস্টেন কার্বাইড কোনটি ভালো?

উত্তর: পাউডার আকারে সিলিকন কার্বাইড উল্লেখযোগ্যভাবে সংকোচনশীল এবং প্রসার্য শক্তি বৃদ্ধি করে [19]। টংস্টেন কার্বাইড (WC) দরকারী কারণ এটি একটি বিকিরণ সুরক্ষা উপাদান। ন্যানো পাউডার আকারে WC বিকিরণ থেকে উচ্চ সুরক্ষা এবং আরও ভাল সংকোচন শক্তি প্রদান করে। টেসলা একটি ভবিষ্যতের গাড়ির জন্য একটি নতুন পাওয়ারট্রেন ঘোষণা করেছে যাতে 75% কম সিলিকন কার্বাইড উপাদান রয়েছে। সিলিকন কার্বাইডের সাথে জড়িত চিপমেকাররা এই খবরে ডুবে গেছে, যদিও শিল্পের মূল খেলোয়াড় Aehr Test Systems টেসলার ঘোষণাকে ভবিষ্যতের চাহিদার উপর বড় প্রভাব ফেলছে বলে মনে করেন না।

প্রশ্ন: সিলিকন কার্বাইড কাচ কাটতে পারে?

উত্তর: সিলিকন কার্বাইড চাকা কাচ, কোয়ার্টজ, সিরামিক, টাইটানিয়াম, টাংস্টেন, জিরকোনিয়াম, ইউরেনিয়াম, বেরিলিয়াম এবং জার্মেনিয়াম, ফাইবার, প্লাস্টিক (যেমন ফেনোলিক্স) এবং ফাইবার-রিইনফোর্সড প্লাস্টিক কাটার জন্য উপযোগী। প্রধান বিপদ হল ত্বকের সাথে যোগাযোগ করা। কার্সিনোজেন, বা স্ফটিক সিলিকার ইনহেলেশন যা আপনার ফুসফুসের ক্ষতি করতে পারে। মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের কিছু রাজ্য, এনজে একটি উদাহরণ, সিলিকন কার্বাইডকে একটি বিপজ্জনক পদার্থ হিসাবে তালিকাভুক্ত করে।

গরম ট্যাগ: সিলিকন কার্বাইড, চীন সিলিকন কার্বাইড নির্মাতারা, সরবরাহকারী

আগে: ম্যাগনালিয়াম পাউডার

Next2: ব্রাউন ফিউজড অ্যালুমিনা

তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো